三星电子Foundry代工部门高级研究员朴炳宰本周四在“2022年半导体EUV全球生态系统会议”上发表了演讲。工市

    他表示，场年到2026年，将达义乌外围（外围上门）外围预约（微信180-4582-8235）提供高端外围上门真实靠谱快速安排不收定金见人满意付款全球3纳米工艺节点代工市场将达到242亿美元规模，亿美元规较今年的工市12亿美元增长将超20倍。

    目前，场年三星电子是将达唯一一家宣布成功量产3纳米芯片的公司，随着三星电子、亿美元规台积电、工市义乌外围（外围上门）外围预约（微信180-4582-8235）提供高端外围上门真实靠谱快速安排不收定金见人满意付款英特尔等半导体大厂开始引进EUV设备，场年工艺技术不断发展，将达预计3纳米工艺将成为关键竞争节点。亿美元规

    根据Gartner数据，工市截至今年年底，场年在晶圆代工市场中占据最大份额的将达是5纳米和7纳米工艺，市场规模369亿美元，未来其份额将逐步由3纳米所取代。他表示，“随着14纳米FinFET工艺的推出，三星电子已经上升到代工市场的第二位。”

    据称，3纳米节点需要新的器件结构以提升性能，率先实现量产3nm工艺的三星使用了环栅（GAA）晶体管结构的MBCFET技术，较FinFET性能功耗有明显改善。

    “就FinFET而言，性能随着引脚数量的增加而提高，但功耗的增加超出了性能的提高幅度”，他表示，“另一方面，MBCFET的效率要高得多，因为它们在相似的水平上提高了性能和功率。”

    具体来说，在FinFET技术中性能提升1.3倍但功耗也会随着上涨2.2倍，而在MBCFET中，性能提高1.7倍时，功耗只会增加1.6倍，相对来说效率更高。